武汉工程大学荣获国家科技进步二等奖

1月10日，2019年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，习近平、李克强等党和国家领导人出席颁奖大会。我校作为第三完成单位申报的“超高纯电子级磷酸及高选择性蚀刻液生产关键技术”项目获得国家科学技术进步二等奖，王存文教授作为完成人在北京人民大会堂接受颁奖。

     超高纯电子级磷酸及高选择性蚀刻液是芯片制造行业不可替代的关键电子化学品，其关键技术和核心装备被美日韩等少数化工企业掌握并长期垄断，严重制约着我国芯片产业的健康可持续发展，是亟待攻克的“卡脖子”技术。面对国家化学和电子工业重大战略需求，武汉工程大学联合兴发集团等单位协同创新，经过10多年持续研究攻关，自主研发出高纯黄磷与电子级磷酸制备的关键技术，打破了高超纯电子级磷酸产品的进口依赖。

     芯片用磷酸系高选择性蚀刻液，已成功应用于国内芯片制造行业，有力支撑了我国电子材料和芯片行业的发展，为实现国家提出的2025年电子材料国产化率大于50%的目标奠定了坚实基础。鉴定委员会专家一致认为该项目整体技术达到了国际先进水平，其中超高纯电子级磷酸中砷、锑等杂质的控制技术居国际领先水平。依托该技术，兴发集团生产的电子级磷酸已替代日本厂商，成为国际第二大芯片制造企业新加坡“格罗方德”的最大供应商；在国内最大芯片制造企业“中芯国际”和上海华宏力等半导体公司的进口替代率大幅提升。

     据悉，湖北省共有28项成果（通用项目）获得2019年度国家科学技术奖，主持项目获奖总数居全国第三。其中，由湖北省主持完成的成果14项，包括国家自然科学二等奖1项，国家技术发明二等奖4项，国家科学进步一等奖2项、二等奖7项。